Mo70Cu30（70wt.%钼，30wt.%铜）是一种典型的钼铜复合材料，而非传统意义上的固溶合金。以下是其详细的成分、性能特点和应用介绍。
成分（重量百分比）：钼（Mo）~70%， 铜（Cu）~30%。
结构：这是一种假合金或复合材料。钼和铜在液态和固态下都几乎互不溶解，无法形成固溶体。
制备工艺：通常采用粉末冶金法制备。将钼粉和铜粉混合、压制成型，然后在高温下进行液相烧结（温度高于铜的熔点1083°C）。此时，铜熔化并凭借毛细管作用渗透到钼骨架的孔隙中，形成一种连续的网络互穿结构。
微观结构：高强度、高熔点的钼颗粒作为“骨架”，提供硬度和强度；高导电导热的铜作为“填充相”，分布在钼骨架的间隙中，提供优异的导电导热性和一定的塑性。
Mo70Cu30的性能是其两种组分性能的“加权平均”和结构协同效应的结果，其最大特点是良好导热导电性与可调节的低热膨胀系数的结合。
热膨胀系数（CTE）： ~7.0 - 8.5 × 10⁻⁶/K（室温至400°C）。这个值远低于纯铜（~17×10⁻⁶/K），且与半导体材料（如硅、砷化镓）及许多陶瓷、玻璃基板的热膨胀系数非常匹配。这是其用于电子封装的关键原因，能极大减少热应力导致的失效。
导热率： ~160 - 180 W/(m·K)。虽然低于纯铜（~400 W/(m·K)），但远高于可伐合金等传统封装材料，且高于许多铝合金，散热能力优秀。
密度： ~9.8 - 10.0 g/cm³。介于钼（10.2）和铜（8.96）之间，属于高密度材料。
熔点：无明确熔点，因其为两相结构。在1083°C（铜的熔点）以上，材料中的铜相会软化或熔化，但钼骨架仍保持固态。
电导率： ~35 - 45% IACS（国际退火铜标准）。约为纯铜的35-45%，但仍具有良好的导电性。
关键特性：气密性：通过适当的工艺控制，可以获得完全致密、气密性极佳的材料，这对于需要真空或密封的电子器件至关重要。
强度与硬度：
抗拉强度：通常在400 - 600 MPa范围，远高于纯铜。
硬度：HV ~ 150 - 220，比纯铜硬得多。
塑性：较差，属于脆性材料。这是其主要缺点之一，难以进行冷锻、深冲等塑性加工。
可加工性：
机加工性：尚可，类似于铸铁，可以进行车、铣、钻、磨等加工，但刀具磨损较快。
焊接性：较差。钼铜与大多数材料焊接困难，通常采用钎焊或扩散焊，且需特殊焊料和工艺。
真空性能：极佳。在高温和高真空环境下，铜和钼均不易挥发，放气率低，是理想的真空材料。
钼铜合金常与更常见的钨铜合金（如W80Cu20）进行比较：
密度：Mo-Cu的密度（~10 g/cm³）显著低于W-Cu（通常>15 g/cm³），有利于器件轻量化。
CTE匹配性：Mo70Cu30的CTE与半导体芯片的匹配性通常优于大多数W-Cu牌号。
导热性：相近铜含量下，Mo-Cu的导热率通常略高于W-Cu。
成本：钼粉成本高于钨粉，因此Mo-Cu材料通常比W-Cu更昂贵。
应用侧重：W-Cu因密度高、更耐烧蚀，更侧重于军用穿甲弹、电火花电极、高压开关触点；Mo-Cu则更侧重于高性能电子封装和热管理。
凭借其高热导、可匹配的CTE、良好的电导和气密性，Mo70Cu30主要用于高可靠性和高功率领域：
微波与射频电子封装：作为热沉（Heat Sink） 和封装基板/载体，用于封装大功率微波管（如行波管、磁控管）、激光二极管、功率模块（IGBT）等，能高效散热并保证热循环可靠性。
功率半导体器件：用于大功率LED、激光器、射频功率放大器等的基片或热扩散片。
航空航天与军事电子：用于雷达、卫星通信系统中对散热和可靠性要求极高的电子组件。
特种电极材料：用于电阻焊、电火花加工等领域的电极，兼具良好的导电性和耐磨性。
特性 | Mo70Cu30 特点 | 优势/影响 |
成分/结构 | 70% Mo + 30% Cu，粉末冶金制备的复合材料 | 性能可设计，结合两者优点 |
热膨胀系数 | 低（~7.5×10⁻⁶/K） | 核心优势：与芯片材料匹配，抗热应力 |
导热率 | 高（~170 W/(m·K)） | 核心优势：优异散热能力 |
导电率 | 良好（~40% IACS） | 满足电子器件导电需求 |
强度/硬度 | 高（强度>400MPa） | 结构强度好，但塑性差 |
密度 | 较高（~10 g/cm³） | 比W-Cu轻，但比Al、Cu重 |
加工性 | 可机加工，难塑性成型，焊接性差 | 通常直接加工成近终形零件 |
主要应用 | 高功率电子封装、微波器件热沉、特种电极 | 高可靠、高散热需求的领域 |
总之，Mo70Cu30是一种为满足特定热管理挑战而设计的高性能工程材料，其价值在于卓越的热性能组合，是高功率、高频率电子设备实现小型化、高可靠性的关键材料之一。
