Mo90Cu10 是一种重要的假合金复合材料。顾名思义，其名义成分是 90重量百分比（wt.%）的钼（Mo）和10 wt.%的铜（Cu）。
这是一种典型的“金属-金属”复合材料，而非传统意义上的固溶体合金。由于其独特的性能组合，它在高端工业领域有着重要应用。下面我将从成分、结构、性能和应用几个方面进行详细阐述。
名义成分： 90 wt.% Mo， 10 wt.% Cu。
实际成分： 在生产中可能存在微小波动（如Mo 88-92%， Cu 8-12%），以满足特定的性能要求。
关键点： 钼和铜在液态和固态下都几乎互不相溶，无法通过传统熔炼方法形成均匀合金。
制备工艺： 必须采用粉末冶金技术。
混合： 将钼粉和铜粉按比例均匀混合。
压制： 在高压下将混合粉末压制成所需形状的坯体。
烧结： 在高温（高于铜的熔点1083°C，但低于钼的熔点2620°C）和保护气氛（如氢气）下进行烧结。此时铜熔化并借助毛细作用力渗透到钼粉骨架的孔隙中，形成致密的复合材料。这个过程也称为“熔渗烧结”。
两相结构： 材料由连续的钼骨架和填充在骨架孔隙中的铜相组成。
无新相： 钼和铜之间不发生化学反应，不形成金属间化合物，保持各自纯金属的晶体结构（Mo为体心立方，Cu为面心立方）。
界面： 钼和铜之间是机械结合界面，结合强度取决于工艺质量。
Mo90Cu10的性能是其两相复合的直接体现，兼具了钼和铜的优点：
性能类别 | 具体表现与数值范围 | 说明与优势 |
物理性能 | 导热性： 140 - 170 W/(m·K) | 高导热。虽低于纯铜（~400 W/(m·K)），但远高于许多其他合金。铜相提供了优异的导热通道。 |
热膨胀系数（CTE）： 6.5 - 7.5 × 10⁻⁶ /K | 低膨胀。接近半导体芯片（如硅、砷化镓）和陶瓷基板（如氧化铝、氮化铝）的热膨胀系数，这是其最核心的优势之一。 | |
密度： ~10.0 g/cm³ | 高密度，介于钼（10.2）和铜（8.96）之间。 | |
热性能 | 耐热性 | 钼骨架提供了高温强度和形状稳定性，使用温度可达铜的熔点（1083°C）以上。 |
抗热震性 | 优异。高导热利于热量快速扩散，低膨胀减少了热应力，两者结合使其能承受剧烈的温度变化而不开裂。 | |
力学性能 | 强度与硬度 | 高于纯铜。钼骨架起到主要的强化作用，室温强度和高温强度都较好。 |
塑性加工性 | 差。作为一种脆性的两相复合材料，几乎不能进行塑性变形（如轧制、拉伸）。加工主要依靠烧结近净成形、磨削和电火花加工。 | |
电性能 | 导电性： 约 40% IACS | 导电性良好，低于纯铜（100% IACS），但足以满足大多数电子封装的应用需求。 |
其他性能 | 真空性能 | 在真空高温下，铜可能会蒸发，因此有使用温度限制。 |
可焊性 | 可以进行钎焊，通常使用银基钎料，但需注意热膨胀匹配问题。 |
优异的热管理能力： 高导热 + 低膨胀。这是Mo-Cu材料的“黄金组合”，使其能够将电子器件产生的热量迅速导出，同时避免因与芯片材料热膨胀不匹配而产生应力，导致失效。
良好的高温稳定性与强度。
无磁性。
可调节性： 通过改变Mo/Cu比例（如Mo85Cu15, Mo80Cu20等），可以在一定范围内“定制”其热膨胀系数和导热率，以匹配不同的材料。
成本高： 钼金属和粉末冶金工艺成本都较高。
加工困难： 只能采用磨削、线切割等特种加工。
密度大： 不适合对重量敏感的场合。
抗氧化性差： 高温下钼和铜都易氧化，通常需要在保护气氛或表面镀层下使用。
基于其低膨胀、高导热的特性，Mo90Cu10主要用于：
电子封装： 大功率微波器件、激光器、射频功率管、集成电路的散热基板和载体。
热沉材料： 用于高功率半导体激光器、LED、CPC等需要高效散热的部位。
航空航天： 作为导弹的舵面、头锥等高温部件的散热部件。
电火花加工电极： 用于加工精密模具。
Mo90Cu10是一种通过粉末冶金法制备的钼-铜两相复合材料。它不是传统合金，而更像一种“金属陶瓷”。其最大特点是实现了低热膨胀系数与高导热率的理想结合，成为高可靠性电子器件和激光器封装的关键材料。尽管存在成本高、加工难的缺点，但在要求严苛的热管理领域，其性能具有不可替代性。
